Orsay, 16 juin2004

Transport dans les dots en silicium de faible mobilité

16 Juin 2004 à Orsay

Mini-réunion thématique
Laboratoire des solides, Orsay

Ont été abordés en particulier les points suivants :

discussion informelle des résultats expérimentaux de M. Hofheinz et M. Sanquer
statistique du spectre d'addition des dots silicium faible mobilité
évolution des positions des résonances en fonction d'un champ magnétique appliqué
- parallèlement: résonances bien définies
- effets anormaux ("chessboard" pattern)
le blocage de spin

Contact:
M. Sanquer : marc.sanquer@cea.fr
D. Weinmann : dietmar.weinmann@ipcms.u-strasbg.fr